晶圓和芯片的關系

　　芯片是由多個半導體器件組成，半導體一般有二極管、三極管、場效應管、小功率電阻、電感、電容等等。

在襯底上使用摻雜技術，改變本征半導體中自由（電子）或者（空穴）的濃度，以此得到N區(qū)或者P區(qū)。硅、鍺、是常用的半導體材料 他們的特性及材質是容易大量并且成本低廉的得到N型摻雜或者P型摻雜。

一片晶圓包括了大量的芯片，這些芯片就是按照芯片設計者的電路刻蝕在單個硅片上，取出單個的芯片封裝后就是我們看到的IC芯片了

一片晶圓上有多少顆芯片

這個是由芯片的大小和晶圓的大小以及良率來決定的

目前業(yè)界所謂的6吋、8吋、12吋還是18吋晶圓其實就是晶圓直徑的簡稱，（江蘇潤石大部分產品是8吋晶圓制作）只不過這個吋是估算值。實際上的晶圓直徑有如100mm，150mm，300mm，而12吋約等于300mm，為了稱呼方便所以稱之為12吋晶圓。

上述公式給出了每片晶圓可以切割出的芯片成品數目的公式

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那么這就要考驗大家的計算能力了

假設12吋晶圓每片造價5000美金，那么NVIDIA最新力作GT200的晶片大小為576平方公厘，在良率95%的情況下，平均每顆成本是多少美金？

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　　答案：USD.87.72

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晶圓制作周期

包括江蘇潤石模擬芯片在內的大部分國產制作周期都在30-45天；當然像臺積電這種國際巨頭這些通用模擬芯片20-30天就能制作完成；一片晶圓能切十幾K到上百K芯片。

晶圓尺寸發(fā)展歷史

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關于Wafer

wafer 即晶圓，由純硅（Si）構成。一般分為6英寸、8英寸、12英寸規(guī)格不等，晶片就是基于這個wafer上生產出來的。Wafer上的一個小塊，就是一個晶片，學名die，封裝后就成為一個IC。一片載有NAND Flash晶圓的wafer，wafer首先經過切割，然后測試，將完好的、穩(wěn)定的、足容量的die取下，封裝形成日常所見的NAND Flash芯片。那么，在wafer上剩余的，要不就是不穩(wěn)定，要不就是部分損壞或者是完全損壞的die。原廠考慮到質量保證，會將這種die宣布死亡，嚴格定義為廢品全部報廢處理。